PSMN9R5-100BS,118 与 IPB083N10N3 G 区别
| 型号 | PSMN9R5-100BS,118 | IPB083N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PSMN9R5-100BS,118 | A-IPB083N10N3 G |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8.3mΩ@73A,10V |
| 上升时间 | - | 42ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 211W | 125W |
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC |
| 输出电容 | 302pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 45S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 89A | 80A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 输入电容 | 4454pF | - |
| 长度 | - | 10mm |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 9.6mΩ@10V | - |
| 下降时间 | - | 8ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 211W 175°C 3V 100V 89A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOB288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V |
￥6.0816
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700 | 对比 | ||||||||||
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRFS4410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRFS4410ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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